半导体锗芯片技术参数 | |
掺杂类型 | P（or或S-C-P） |
| 掺杂物质 | Ge-ga |
| 直径 | 100±0.25 |
| 晶向 | （100）to向[111]by偏9°（or或6°）±0.5° |
| 转向角度 | N/A |
| 主参考面晶向 | <110>（or或100）±0.2° |
| 主参考面边长度 | 15（or或32）±1 |
| 副参考面晶向 | N/A |
| 副参考面边长度 | N/A |
| 电阻率 | 0.01-0.04（0.005-0.003） |
| 电子迁移率 | N/A（T>800cm2/V.S.） |
| 载流子浓度CC值 | N/A（0.2-3E18） |
| 位错密度 | ≤300 |
| 激光刻字 | 主面参考边对面（依客户差异确认） |
| 厚度 | 140（175）±10 |
| TTV | ＜10-15 |
| TIR | N/A |
| BOW | ＜10-15 |
| Warp | ＜15 |
| Surface | 正面抛光、背面（金刚石）研磨 |
| 颗粒数量 | N/A[＜300（＞0.3µm）] |
| 强度 | N/A（≥5-6lbf） |
| 少子寿命 | N/A（＞1µSec） |
| 包装材料及方法 | 充氮气双层袋包装（或单片包装，免清洗） |
