EN
首页 > 产品与行业应用 > 半导体锗芯片
半导体锗芯片
公司目前采用CZ直拉法“零位错”技术,已能生产出6英寸太阳能电池用锗衬底。产品主要广泛应用于空间太阳能电池、店面高倍聚光太阳能电站等。中锗是国内技术领先的太阳能电池用锗衬底片的生产制造商,打破了国外对该产品的垄断,产品终端形态已由材料加工型延伸到客户应用型。
半导体锗芯片技术参数

掺杂类型

P(or或S-C-P)
掺杂物质Ge-ga
直径100±0.25
晶向(100)to向[111]by偏9°(or或6°)±0.5°
转向角度N/A
主参考面晶向<110>(or或100)±0.2°
主参考面边长度15(or或32)±1
副参考面晶向N/A
副参考面边长度N/A
电阻率0.01-0.04(0.005-0.003)
电子迁移率N/A(T>800cm2/V.S.)
载流子浓度CC值N/A(0.2-3E18)
位错密度≤300
激光刻字主面参考边对面(依客户差异确认)
厚度140(175)±10
TTV<10-15
TIRN/A
BOW<10-15
Warp<15
Surface正面抛光、背面(金刚石)研磨
颗粒数量N/A[<300(>0.3µm)]
强度N/A(≥5-6lbf)
少子寿命N/A(>1µSec)
包装材料及方法充氮气双层袋包装(或单片包装,免清洗)


微信图片_20190409180602.jpg


CopyRight 2018 中锗科技有限公司版权所有 All rights reserved. 宁ICP备88888888号
技术支持:35互联