半导体锗芯片技术参数 | |
掺杂类型 | P(or或S-C-P) |
掺杂物质 | Ge-ga |
直径 | 100±0.25 |
晶向 | (100)to向[111]by偏9°(or或6°)±0.5° |
转向角度 | N/A |
主参考面晶向 | <110>(or或100)±0.2° |
主参考面边长度 | 15(or或32)±1 |
副参考面晶向 | N/A |
副参考面边长度 | N/A |
电阻率 | 0.01-0.04(0.005-0.003) |
电子迁移率 | N/A(T>800cm2/V.S.) |
载流子浓度CC值 | N/A(0.2-3E18) |
位错密度 | ≤300 |
激光刻字 | 主面参考边对面(依客户差异确认) |
厚度 | 140(175)±10 |
TTV | <10-15 |
TIR | N/A |
BOW | <10-15 |
Warp | <15 |
Surface | 正面抛光、背面(金刚石)研磨 |
颗粒数量 | N/A[<300(>0.3µm)] |
强度 | N/A(≥5-6lbf) |
少子寿命 | N/A(>1µSec) |
包装材料及方法 | 充氮气双层袋包装(或单片包装,免清洗) |