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三氯氢硅
完全自主知识产权,具有多项发明专利和多项实用新型专利,产品弥补了国内该领域的空白,打破了国外技术的和产品的垄断,优化了我国半导体配置基础材料的产业结构,减少高端材料对国外的依赖


项目
指标
外观
无色透明液体
纯度
≥99.99%
杂质含量ng/g(ppb)≤硼+铝(B+AI)≤0.10
磷+砷+锑(P+As+Sb)≤0.20
铁(Fe)≤3.00
镍(Ni)≤0.80
铬(Cr)≤1.00
钒(V)≤0.01
锰(Mn)≤0.20
钼mu(Co)≤0.02
铜(Cu)≤0.05
钴(Mo)≤1.00
SiH2Cl2含量≤0.002%
SiCl4含量≤0.004%
SiH3Cl含量≤0.004%
总碳含量≤1ppm


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