| 品种 | 直径(英寸) | 类型 | 浓度（cm-³） | 迁移率(cm²/V.s) | 电阻率(Ω.cm) | 位错密度(cm-³) |
| 非掺InP | 2 | N | ≤3×1016 | （3.5-4）×10³ | ＜1×10³ | |
| S-InP | 2 | N | (0.8-6)×1018 | （1.5-3.5）×10³ | ＜500 | |
| 3 | (0.8-6)×1018 | （1.5-3.5）×10³ | ＜1×10³ | |||
| 4 | (0.8-6)×1018 | （1.5-3.5）×10³ | ＜5×10³ | |||
| Zn-InP | 2/3/4 | P | (0.6-6)×1018 | 50-70 | ＜1×10³ | |
| Fe-InP | 2 | SI | ＞1000 | ＞0.5×107 | ＜5×10³ | |
| 3 | ||||||
| 4 | ||||||
| 晶片单面抛光或双线抛光，开盒即用。晶向（100）,2英寸片标准厚度350±25μm，3英寸标准厚度600±25μm，4英寸片标准厚度625±25μm，其它特殊规格根据要求加工。 | ||||||
InP SubstratesCrystal NO. TD02-180525S
| 长晶方式 Growth Method | VGF |
| 电导型 Conduction Type | N type |
| 搀杂 zDopant | S |
| 载流子浓度 Carrier Concentration | (1~4)E18 cm-3 |
| 电阻率 Resistivity | (1.0~1.3)E-3 Ω.cm |
| 电子迁移率 Mobility | >1500 cm2/V.s |
| EPD | <1000 cm-2 |
| 晶体取向 Orientation | (100)±0.5 degree |
| 大平面晶体取向 Major flat orientation/length | [0-1-1]±0.1/16±1 degree/mm |
| 小平面晶体取向 Minor flat orientation/length | [0-11]±0.5/7±1 degree/mm |
| 厚度 Thickness(center) | 350±25 um |
| 直径 Diameter | 50.8±0.5 mm |
| TTV | <10 um |
| BOW | <10 um |
| 表面加工 Surface treatment | Single Side EPI-Ready Polished |
